Semiconductor Device

*所述的半導體器件，電子電路由既不是良導體，也不是一個良好的絕緣體的材料製成。

*半導體器件都不過是其利用半導體材料的電子特性，如矽，鍺和砷化鎵，以及有機半導體的電子元件。

關鍵術語

O類半導體

O二極管

Ø晶體管

ø雙極結型晶體管

O基

O收集

Ø發射器

Ò集成電路

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一些在應用程序討論的主題有：

1.海恩斯-肖克萊實驗

2.半導體材料

3.晶格

4.立方晶格

5.平面和方向

6.金剛石晶格

7.散裝晶體生長

8.生長單晶鑄錠

9.晶圓

10.外延生長

11.氣相外延

12.分子束外延

13.電荷載體半導體

14.有效質量

15.本徵材料

16.外在材料

17.電子和量子阱洞

18.費米能級

19.補償和空間電荷中和

20.漂移和電阻

21.光吸收

22.光致發光

23.電致發光

24載流子壽命和光電導

電子和空穴的25直接複合

26.間接重組;誘捕

27.穩態載波發生器;準費米能級

28.光導器件

29.擴散過程

運營商的30.擴散和漂移：內置字段

31.擴散和重組;連續性方程

32.穩態載流子注入：擴散長度

33.漸變的準費米能級

載流子濃度的34溫度依賴性

35.溫度的影響和摻雜上移動

36.高場效果

37.霍爾效應

38.製造p-n結的：熱氧化

39.擴散P-N結的

40.快速熱處理

41.離子注入

42.化學氣相沉積（CVD）

43.光刻

44.蝕刻

45.金屬化

46.均衡條件

47.平衡費米能級

48.空間電荷在一個結

49.正向和反向偏置結

50.載流子注入

51.反向偏置

52.反向偏置擊穿

53.齊納擊穿

54.雪崩擊穿

55.整流器

56.擊穿二極管

57.瞬態和A-C的條件

58.反向恢復瞬態

59.理想二極管型號

60.影響聯繫的上載流子注入潛力

61.開關二極管

62.電容p-n結的

63.重組和產生的過渡區

64歐姆損耗

65.分級的結

66.金屬半導體結：肖特基勢壘

67.當前的輸運過程

68.熱電子，發射理論

69.擴散理論

70.熱離子排放為擴散理論

71.整流接觸

72.隧穿電流

73.少數載流子注入

74. MIS隧道二極管

75.勢壘高度的測量

76.激活電能計量

77.光電測量

78歐姆接觸

每個主題是完整的圖表，公式和其他形式更好的學習和快速理解圖形表示的。

半導體器件是工程教育課程和各大學的技術學位課程的一部分。