MOS ICs & Technology Pro

نکات در مورد MOS ICs و فناوری (مدار یکپارچه) برای یادگیری آسان و یادگیری سریع. این برنامه در واقع یک کتابچه راهنمای است که همه موضوعات موضوع را پوشش می دهد. شما می توانید این برنامه را به عنوان یادداشت هایی که اساتید در یک کلاس درس راهنمایی می کنند را در نظر بگیرید.

در صورتی که این برنامه را در تلفن همراه خود داشته باشید، می توانید در امتحانات و مصاحبه های خود به راحتی گذراندن و موفقیت داشته باشید و چند روز آینده یک مرور کلی را ارائه دهید.

آن را 114 موضوع از MOS ICs و فناوری در جزئیات را پوشش می دهد. این 114 موضوع به 8 واحد تقسیم می شوند

برخی از موضوعات مورد بحث در این برنامه عبارتند از:

1. قانون مور.

2. مقایسه تکنولوژی های موجود

3. ترانزیستورهای MOS پایه

4. حالت بهبود عمل ترانزیستور:

5. ساخت NMOS:

6. ساخت CMOS- P-WELL PROCESS

7. ساخت CMOS-N-WELL PROCESS:

8. ساخت CMOS-دوقلو- فرآیند

9. تکنولوژی Bi-CMOS: - (CMOS دو قطبی):

10. تولید ماسک های پرتو e

11. معرفی ترانزیستور MOS

12. ارتباط Vgs و Ids برای یک Vds ثابت

13. معادلات MOS (معادلات پایه DC):

14. اثرات سفارش دوم

15. ویژگی های CMOS سازنده

16. مشخصات اینورتر DC

17. تشخیص گرافیکی ویژگی های DC اینورتر

18. حاشیه نویسی

19. بارهای ثابت MOS مبدل

20. گیت های انتقال

21. اینورتر Tristate

22. Stick diagrams-Encodings برای پردازش NMOS

23. رمزگذاری برای پردازش CMOS

24. رمزگذاری برای BJT و MOSFET

25. سبک طراحی NMOS و CMOS

26. قوانین طراحی - IC MOS و تکنولوژی

27. از طریق

28. قوانین طراحی CMOS لامبدا

29. Orbit 2um CMOS process

30. برآورد مقاومت.

مقاومت صفحات ترانزیستورهای MOS

32. برآورد ظرفیت

33. تاخیر

34. تاخیر اینورتر

35. برآورد رسمی تاخیر

36. رانندگی بار خازنی بزرگ

37. ارزش مطلوب f

38. سوپر بافر

39. رانندگان Bicmos

40. تاخیر انتشار

41. منابع دیگر خازنی

42. انتخاب لایه ها

43. مقیاس سازی دستگاه های MOS

44. طراحی فیزیکی پایه یک مرور کلی

45. طراحی فیزیکی اولیه یک مرور کلی

46. ​​طرح و طرح دروازه های اساسی Inverter Gate

47. طرح و طرح دروازه های اساسی NAND و NOR Gate

48. دروازه انتقال

49. طراحی سلول استاندارد CMOS

50. بهینه سازی طرح بندی برای عملکرد

51. دستورالعمل کلی طرح

52. منطق BICMOS

53. منطق شبه nmos

54. سایر تغییرات شبه nmos- منطق تخلیه چند و منطق Ganged

55. تغییرات دیگر pseudo nmos- منطق دینامیک cmos

56. سایر تغییرات شبه nmos-CLOSED CMOS LOGIC (C2MOS)

57. CMOS منطق دومینو

58. منطق سوئیچ ولتاژ مخزن

59. منطق ترانزیستور را منتقل کنید

60. ساختار مدار منطقی تکنولوژی CMOS

61. مقیاس سازی مدارهای MOS

62. مقیاس فناوری

63. نقشه راه فناوری بین المللی برای نیمه هادی ها (ITRS)

64. مدل های پوسته پوسته شدن و عوامل پوسته پوسته شدن برای پارامترهای دستگاه

65. پیامدهای مقیاس پذیری

66. اتصال متقابل

67. شعاع قابل دسترس

68. قدرت پویا و استاتیک

69. بهره وری و محدودیت های فیزیکی

70. محدودیت مقیاس

71. دوپینگ بستر

72. عرض تخلیه

73. محدودیت های کوچک سازی

74. محدودیت اتصالات اتصال و مقاومت در برابر تماس

75. محدودیت های ناشی از جریان های زیر جریان

76. محدودیت های ناشی از جریان های زیرروی

77. سیستم

78. جریان طراحی VLSI

79. 3 روش طراحی سازه

80. منظم بودن

81. MOSFET به عنوان سوئیچ

82. اتصال موازی و سری سوئیچ ها

83. INVERTER CMOS

84. طراحی دروازه NAND

85. دروازه طراحی NOR

86. خواص CMOS

87. دروازه های مجتمع

88. دروازه های پیچیده AOI

پیوند های مهم

انتقادات و پیشنهادات: نظرات خود را در [email protected] بفرستید

پیوندهای اجتماعی

فیس بوک: https://www.facebook.com/EngineeringEasy/

توییتر: https://twitter.com/easyengineerin

وب سایت: http: //www.engineeringapps.net/

همه شما یک یادگیری بسیار مبارک