Basics of VLSI Design

app เป็นคู่มือที่สมบูรณ์ของฟรี VLSI กับไดอะแกรมและกราฟ มันเป็นส่วนหนึ่งของการศึกษาอิเล็กทรอนิกส์และวิศวกรรมการสื่อสารที่นำหัวข้อที่สำคัญ, บันทึก, ข่าวและบล็อกเกี่ยวกับเรื่องนี้ ดาวน์โหลดแอพพลิเป็นคู่มืออ้างอิงอย่างรวดเร็วและ eBook เกี่ยวกับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และการสื่อสารเรื่องนี้วิศวกรรม

แอปพลิเคครอบคลุมมากกว่า 90 หัวข้อ VLSI ออกแบบในรายละเอียด หัวข้อเหล่านี้จะถูกแบ่งออกเป็น 5 หน่วย

คุณสามารถได้อย่างง่ายดายมากผ่านและประสบความสำเร็จในการสอบหรือการสัมภาษณ์ของคุณ app ให้การแก้ไขอย่างรวดเร็วและการอ้างอิงถึงหัวข้อที่เหมือนแฟลชการ์ดรายละเอียด

แต่ละหัวข้อจะสมบูรณ์ด้วยไดอะแกรมสมการและรูปแบบอื่น ๆ ของการรับรองกราฟิกเพื่อความเข้าใจง่าย บางส่วนของหัวข้อที่ครอบคลุมในโปรแกรมนี้คือ:

1. ความทรงจำเซมิคอนดักเตอร์: บทนำและประเภท

2. อ่านเฉพาะหน่วยความจำ (ROM)

3. สามทรานซิสเตอร์เซลล์ DRAM

4. หนึ่งทรานซิสเตอร์ DRAM มือถือ

5. หน่วยความจำแฟลช

6. ต่ำ - พลังงาน CMOS วงจรลอจิก: บทนำ

7. การออกแบบอินเวอร์เตอร์แบบ CMOS

8. MOS อินเวอร์เตอร์: รู้เบื้องต้นเกี่ยวกับการเปลี่ยนลักษณะ

9. เทคนิคการสแกน-Based

10. Built-In ทดสอบตัวเอง (BIST) เทคนิค

11. ประวัติศาสตร์ที่คาดหวังของ VLSI ออกแบบ: กฎของมัวร์

12. การจัดประเภทของ CMOS ประเภทวงจรดิจิตอล

13. ตัวอย่างการออกแบบวงจร

14. วิธีการออกแบบ VLSI

15. การไหล VLSI ออกแบบ

16. การออกแบบลำดับชั้น

17. แนวคิดของความสม่ำเสมอต้นแบบและท้องถิ่น

18. ผลิต CMOS

19. การแปรรูปการไหลของกระบวนการ: ขั้นตอนพื้นฐาน

20. การประดิษฐ์ของทรานซิสเตอร์ NMOS

21. CMOS ผลิต: กระบวนการ P-ดี

22. CMOS ผลิต: กระบวนการ N-ดี

23. CMOS ผลิต: Twin กระบวนการอ่าง

24. แผนภาพติดและการออกแบบรูปแบบหน้ากาก

25. MOS ทรานซิสเตอร์: โครงสร้างทางกายภาพ

26. ระบบ MOS ภายใต้ภายนอกอคติ

27. โครงสร้างและการดำเนินงานของมอสเฟต

28. แรงดันเกณฑ์

29. ลักษณะแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบันของมอสเฟต

30. การปรับ Mosfet

31. ผลของการปรับ

ผลกระทบ 32. ขนาดเล็กรูปทรงเรขาคณิต

33. MOS capacitances

34. MOS อินเวอร์เตอร์

35. ลักษณะการถ่ายโอนแรงดัน (VTC) ของ MOS อินเวอร์เตอร์

36. อินเวอร์เตอร์ที่มีชนิดเอ็นโหลด MOSFET

37. อินเวอร์เตอร์โหลดความต้านทาน

38. การออกแบบอินเวอร์เตอร์พร่องโหลด

39. CMOS อินเวอร์เตอร์

40. ความล่าช้าคำจำกัดความเวลา

41. การคำนวณของความล่าช้าไทม์

42. การออกแบบอินเวอร์เตอร์ที่มีความล่าช้า constrains: ตัวอย่าง

43. ผสม MOS วงจรลอจิก: บทนำ

44. วงจรลอจิก MOS กับโหลดพร่อง NMOS: สอง-input NOR ประตู

45. วงจรลอจิก MOS กับโหลดพร่อง NMOS: ทั่วไป NOR โครงสร้างที่มีหลายปัจจัยการผลิต

46. ​​วงจรลอจิก MOS กับโหลดพร่อง NMOS: การวิเคราะห์ชั่วคราวของ NOR ประตู

47. วงจรลอจิก MOS กับโหลดพร่อง NMOS: สอง-input NAND ประตู

48. วงจรลอจิก MOS กับโหลดพร่อง NMOS: โครงสร้าง NAND ทั่วไปที่มีหลายปัจจัยการผลิต

49. วงจรลอจิก MOS กับโหลดพร่อง NMOS: การวิเคราะห์ชั่วคราวของประตู NAND

50. CMOS ตรรกะวงจร: NOR2 (สองอินพุต NOR) ประตู

51. CMOS nand2 (สองป้อนข้อมูล NAND) ประตู

52. เค้าโครงง่าย CMOS จิกเกต

53. วงจรลอจิกคอมเพล็กซ์

54. คอมเพล็กซ์ CMOS จิกเกต

55. รูปแบบของคอมเพล็กซ์ CMOS จิกเกต

56. AOI และ OAI เกตส์

57. Pseudo-NMOS เกตส์

58. CMOS เต็ม Adder วงจร & Carry Adder ระลอก

59. CMOS เกียร์เกตส์ (ผ่านการเกตส์)

60. เสริมผ่านทรานซิสเตอร์ลอจิก (CPL)

61. ลำดับ MOS วงจรตรรกะ: บทนำ

62. พฤติกรรมของ bistable องค์ประกอบ

63 อาร์กลอนวงจร

64. โอเวอร์คล็อกกลอน SR

65. JK โอเวอร์คล็อกกลอน

66. master ทาสปัดพลิก

67. CMOS D-กลอนและขอบเรียกปัดพลิก

68. วงจรลอจิกแบบไดนามิก: บทนำ

69. หลักการพื้นฐานของการผ่านวงจรทรานซิสเตอร์

หัวข้อทั้งหมดไม่ได้ระบุไว้เนื่องจากข้อ จำกัด ของตัวละครที่กำหนดโดย Play สโตร์