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Basics of VLSI Design 圖標

7 by Engineering Apps


2021年04月05日

關於Basics of VLSI Design

中文(繁體)

VLSI的完全免費手冊以圖表和圖形

該應用程序是VLSI的完全自由使用手冊圖表和圖形。它是電子及通信工程教育帶來重要的主題,筆記,新聞和博客關於這個問題的一部分。下載App作為快速參考指南和電子書在這個電子與通信工程學科。

該應用程序涵蓋了詳細的90多個主題VLSI設計。這些主題在5個單位劃分。

你可以很容易地通過,並在你的考試或面試成功,應用程序提供了快速修改和參考像一個詳細的閃存卡的主題。

每個主題都配有圖表,方程式等形式,為便於理解的圖形表示。一些在此應用中涉及的主題有:

1.半導體存儲器:介紹和類型

2,只讀存儲器(ROM)

3.三個晶體管DRAM單元

4.一個晶體管DRAM單元

5.閃存

6.低 - 功耗CMOS邏輯電路:簡介

7. CMOS反相器的設計

8. MOS逆變器:介紹開關特性

9.基於掃描技術

10.內置自測試(BIST)技術

11.歷史前瞻性VLSI設計:摩爾定律

12. CMOS數字電路類型分類

13.電路設計實例

14. VLSI設計方法

15. VLSI設計流程

16.設計層次

17.規律性,模塊化和局部性的概念

18. CMOS製造

19.製作工藝流程:基本步驟

20.製備nMOS晶體管的

21. CMOS製造:P阱工藝

22. CMOS製造:N阱工藝

23. CMOS製造:雙桶過程

24.棒圖和掩膜版圖設計

25. MOS晶體管:物理結構

在外部偏置26 MOS系統

27.結構和MOSFET的操作

28.閾值電壓

MOSFET的電流29.電壓特性

30.場效應管結垢

縮放31.影響

32.小尺寸效應

33. MOS的電容

34. MOS逆變器

35.電壓傳輸特性MOS逆變器(VTC)

36.逆變器與n型MOSFET負載

37.阻性負載變頻器

耗盡型負載逆變器38設計

39. CMOS反相器

40.延遲時間定義

41.計算延遲時間

42.逆變器設計與延遲約束:例

43.組合MOS邏輯電路:介紹

44. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載:雙輸入或​​非門

45. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載:廣義NOR結構多輸入

46. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載:NOR門電路的瞬態分析

47. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載:雙輸入與非門

48. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載:廣義NAND結構多輸入

49. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載:與非門的瞬態分析

50. CMOS邏輯電路:NOR2(兩個輸​​入NOR)門

51. CMOS NAND2(兩個輸​​入NAND)門

簡單的CMOS邏輯門的52佈局

53.複雜的邏輯電路

54.複雜的CMOS邏輯門

複雜的CMOS邏輯門的55佈局

56. AOI和OAI蓋茨

57.偽nMOS的門

58. CMOS全加器電路及紋波進行加法

59. CMOS傳輸門(通門)

60.互補通 - 晶體管邏輯(CPL)

61. MOS時序邏輯電路:簡介

62.行為雙穩態元素

63. SR鎖存電路

64.時鐘控制SR鎖存器

65.時鐘控制JK鎖存

66.主從觸發器

67. CMOS D鎖存器和邊沿觸發觸發器

68.動態邏輯電路:簡介

通晶體管電路69.基本原則

所有的話題都沒有列出,因為Play商店設置字符限制的。

最新版本7更新日誌

Last updated on 2021年04月05日

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請求 Basics of VLSI Design 更新 7

上傳者

Jerry François

系統要求

Android 4.1+

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Basics of VLSI Design 來源 Google Play

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