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Basics of VLSI Design Pro Zeichen

1 by Engineering Apps


Dec 4, 2018

Über Basics of VLSI Design Pro

Komplettes Handbuch zu VLSI mit Diagrammen und Grafiken

Die App ist ein komplettes Handbuch zu VLSI mit Diagrammen und Grafiken. Es ist Teil der Elektronik- und Nachrichtentechnikausbildung, die wichtige Themen, Notizen, Nachrichten und Blog zum Thema bringt. Laden Sie die App als Kurzanleitung und E-Book zu diesem Thema der Elektronik- und Kommunikationstechnik herunter.

Die App umfasst mehr als 90 Themen von VLSI Design im Detail. Diese Themen sind in 5 Einheiten unterteilt.

Sie können sehr leicht Ihre Prüfungen oder Interviews bestehen und erfolgreich bestehen. Die App bietet eine schnelle Überarbeitung und Referenz zu den Themen wie eine detaillierte Flash-Karte.

Jedes Thema enthält Diagramme, Gleichungen und andere grafische Darstellungen, um das Verständnis zu erleichtern. Einige der in dieser Anwendung behandelten Themen sind:

1. Halbleiterspeicher: Einführung und Typen

2. Nur-Lese-Speicher (ROM)

3. Drei-Transistor-DRAM-Zelle

4. Eine Transistor-DRAM-Zelle

5. Flash-Speicher

6. CMOS-Logikschaltungen mit geringem Stromverbrauch: Einführung

7. Aufbau von CMOS-Wechselrichtern

8. MOS-Inverter: Einführung in die Schalteigenschaften

9. Scan-basierte Techniken

10. Eingebaute Selbsttest (BIST) -Techniken

11. Historischer Ausblick auf das VLSI-Design: Moores Gesetz

12. Klassifizierung von digitalen CMOS-Schaltungstypen

13. Ein Schaltungsdesign-Beispiel

14. VLSI-Entwurfsmethoden

15. VLSI-Designfluss

16. Designhierarchie

17. Begriff der Ordnungsmäßigkeit, Modularität und Lokalität

18. CMOS-Fertigung

19. Fertigungsablauf: Grundlegende Schritte

20. Herstellung des nMOS-Transistors

21. CMOS-Herstellung: p-Well-Prozess

22. CMOS-Herstellung: n-Well-Prozess

23. CMOS-Fertigung: Doppelwannenverfahren

24. Stickdiagramme und Maskenlayoutdesign

25. MOS-Transistor: physikalische Struktur

26. Das MOS-System unter externer Vorspannung

27. Aufbau und Betrieb des MOSFET

28. Die Schwellenspannung

29. Stromspannungseigenschaften des MOSFET

30. Mosfet-Skalierung

31. Auswirkungen der Skalierung

32. Kleine Geometrieeffekte

33. MOS-Kapazitäten

34. MOS-Inverter

35. Spannungsübertragungscharakteristik (VTC) des MOS-Inverters

36. Wechselrichter mit n-Typ-MOSFET-Last

37. Wechselrichter mit ohmscher Last

38. Auslegung von Wechselrichtern mit Erschöpfungsbelastung

39. CMOS-Wechselrichter

40. Verzögerungszeitdefinitionen

41. Berechnung der Verzögerungszeiten

42. Inverter-Design mit Verzögerungsbeschränkungen: Beispiel

43. Kombinatorische MOS-Logikschaltungen: Einführung

44. MOS-Logikschaltkreise mit erschöpften nMOS-Lasten: NOR-Gatter mit zwei Eingängen

45. MOS-Logikschaltkreise mit erschöpften nMOS-Lasten: Generalisierte NOR-Struktur mit mehreren Eingängen

46. ​​MOS-Logikschaltkreise mit erschöpften nMOS-Lasten: Transientenanalyse des NOR-Gatters

47. MOS-Logikschaltungen mit erschöpften nMOS-Lasten: NAND-Gate mit zwei Eingängen

48. MOS-Logikschaltkreise mit erschöpften nMOS-Lasten: Generalisierte NAND-Struktur mit mehreren Eingängen

49. MOS-Logikschaltkreise mit erschöpften nMOS-Lasten: Transientenanalyse des NAND-Gatters

50. CMOS-Logikschaltungen: NOR2-Gatter (NOR mit zwei Eingängen)

51. CMOS NAND2-Gatter mit zwei Eingängen

52. Layout einfacher CMOS-Logikgatter

53. Komplexe Logikschaltungen

54. Komplexe CMOS-Logikgatter

55. Layout komplexer CMOS-Logikgatter

56. AOI- und OAI-Tore

57. Pseudo-nMOS-Gates

58. CMOS Full-Adder Circuit- und Carry-Ripple-Addierer

59. CMOS-Transmission Gates (Pass Gates)

60. Komplementäre Pass-Transistor-Logik (CPL)

61. Sequentielle MOS-Logikschaltungen: Einführung

62. Verhalten von bistabilen Elementen

63. Die SR-Verriegelungsschaltung

64. Getaktete SR Latch

65. Getaktete JK-Verriegelung

66. Master-Slave-Flipflop

67. CMOS D-Latch und randgetriggertes Flip-Flop

68. Dynamische Logikschaltungen: Einführung

69. Grundlagen der Durchlasstransistorschaltung

Aufgrund von im Play Store festgelegten Zeichenbeschränkungen werden nicht alle Themen aufgelistet.

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